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IRFS4410TRLPBF  与  IPB083N10N3 G  区别

型号 IRFS4410TRLPBF IPB083N10N3 G
唯样编号 A-IRFS4410TRLPBF A-IPB083N10N3 G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single HexFet 100 V 200 W 180 nC Silicon Surface Mount Mosfet - TO-263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 10mΩ@58A,10V 8.3mΩ@73A,10V
上升时间 - 42ns
Qg-栅极电荷 - 55nC
栅极电压Vgs ±20V ±20V
正向跨导 - 最小值 - 45S
封装/外壳 D²PAK(TO-263AB) TO-263-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 96A 80A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 8ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5150pF @ 50V -
高度 - 4.4mm
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) 125W
典型关闭延迟时间 - 31ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® OptiMOS3
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5150pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 180nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 18ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 180nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS4410TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D²PAK(TO-263AB)

暂无价格 0 当前型号
STB80NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 3,000 对比
AOB288L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

¥6.0816 

阶梯数 价格
1: ¥6.0816
100: ¥4.3824
400: ¥3.7722
800: ¥2.98
800 对比
STB80NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
BUK9609-40B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9609-40B_SOT404

¥9.5837 

阶梯数 价格
210: ¥9.5837
400: ¥8.1218
800: ¥7.4512
0 对比
IPB083N10N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB083N10N3GATMA1_10mm TO-263-3

暂无价格 0 对比

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