IRFS4410TRLPBF 与 IPB083N10N3 G 区别
| 型号 | IRFS4410TRLPBF | IPB083N10N3 G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFS4410TRLPBF | A-IPB083N10N3 G |
| 制造商 | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single HexFet 100 V 200 W 180 nC Silicon Surface Mount Mosfet - TO-263-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 9.25mm |
| 上升时间 | - | 42ns |
| Qg-栅极电荷 | - | 55nC |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 45S |
| 封装/外壳 | D²PAK(TO-263AB) | TO-263-3 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C |
| 连续漏极电流Id | 96A | 80A |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 10mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 下降时间 | - | 8ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 150µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5150pF @ 50V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 10mΩ@58A,10V | 8.3mΩ@73A,10V |
| 高度 | - | 4.4mm |
| 功率耗散Pd | 200W(Tc) | 125W |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 31ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 系列 | HEXFET® | OptiMOS3 |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 150µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5150pF @ 50V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 180nC @ 10V | - |
| 典型接通延迟时间 | - | 18ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 180nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFS4410TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 10mΩ@58A,10V N-Channel 100V 96A D²PAK(TO-263AB) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
|
STB80NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||
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STB80NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
￥10.392
|
883 | 对比 | ||||||
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STB120NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 312W(Tc) 10.5m Ohms@60A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 100V 110A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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BUK768R1-100E,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 8.1mΩ@10V 263W 175°C 3V 100V 100A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
IPB083N10N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 80A 8.3mΩ@73A,10V ±20V 125W N-Channel -55°C~175°C TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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